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MMBT5401LT1G中文资料

MMBT5401LT1G图片

MMBT5401LT1G外观图

  • 大小:91.46KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:High Voltage Transistor(PNP Silicon)
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大:225mW
  • 频率 - 转换:300MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMBT5401LT1GOSMMBT5401LT1GOS-NDMMBT5401LT1GOSTR

MMBT5401LT1G供应商

更新时间:2023-01-11 04:17:21
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